Міністерство освіти і науки України Національний університет «Львівська політехніка» Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Кафедра РЕПС
Звіт про виконання Лабораторної роботи №5 з дисципліни «Основи автоматизації та проектування РЕА» Підготув: ст. гр. РТ-21 Медведик А.І. Прийняв: Кузик А. О. Львів-2010 Тема роботи: вивчення роботи програми оцінки параметрів активних елементів. Мета роботи: навчитись користуватись утилітою обслуговування бібліотек РЕР.ЕХЕ. Перед виконанням даної лабораторної роботи рекомендується ознайомитись з розділами "13, Бібліотеки елементів", "3.1, Утиліта обслуговування бібліотек". "3.2. Моделі активних елементів" описання ППП "МІСКОСАР-2"та з вмістом файла РЕР.ООС. Завдання до лабораторної роботи: 1. Вибрати транзистор у вихідному колі підсилювача потужності з курсової роботи, для проведення аналізу його характеристик. З файлу опису MicroCap на ст.81-89 ознайомитись з моделлю біполярного та польового транзисторів та її параметрів. 2. Теоретичну інформацію виложену у довідці з параметрами занести у звіт. 3. Записати таблицю параметрів Гуммеля-Пуна з вибраного транзистора. 4. За прикладами файлів ПП MicroCap “gummel.cir” та“curves.cir” отримати статичні характеристики вибранго транзистора, а саме вхідні, прохідні та вихідні, а також залежності струмів колектора і бази від напруги бази емітера, та статичний коефіціент передачі по струму в режимі часового аналізу. Виконання роботи 1.Вибираємо транзистор у вихідному колі підсилювача потужності з курсової роботи, для проведення аналізу його характеристик: Транзистор NPN 2N1613
Рис.1 Транзистор NPN 2N1613 Теоретичну інформацію виложену у довідці з параметрами заносимо у звіт. Біполярный транзистор В програмі МС8 використовується схема заміщення біполярного транзистора в виді моделі Гуммепя-Пуна, яка автоматично спрощується до моделі Эберса-Молла, якщо відкинути деякі параметри. Список параметрів повної математичної моделі біполярного транзистора показаний в табл: Назва параметра Параметр Значення по замовчуванню Одиниці вимірювання  IS Струм насичення при температурі 27°С  А  BF Максимальний коєфіціент підсилення струму в нормальному режимі в схемі з ОЭ 100   BR Максимальний коефіціент підсилення струму в інверсному режимі в схемі з ОЭ 1   NF Коефіціент емісії для нормального режиму 1   NR Коефіціент емісії для інверсного режиму 1   ISE Струм насичення витоку переходу база-емітер 0 А  ISC Струм насичення витоку переходу база-колектор 0 А  ISS Струм насичення p-n-переходу підложки 0 А  NS Коефіціент емісії струму p-n-переходу підложки    IKF Струм початку спаду залежності BF від струму колектора в нормальному режимі ∞ А    IKR* Струм початку спаду залежності BR від струму емітера в інверсному режимі ∞ А  NE* Коефіціент емісії струму витоку емітерного переходу 1,5   NC* Коефіціент емісії струму витоку колекторного переходу 2   NK Коефіціент перегиба при великих струмах 0.5   VAF Напруга Эрлі в нормальному режимі ∞ В  VAR* Напруга Эрлі в інверсному режимі ∞ В  RC Обємний опір колектора 0 Ом  RE Обємний опір емітера. 0 Ом  RB Обємний опір бази при нульовому зміщенні переходу база-емітер 0 Ом  RBM* Мінімальний опір бази при великих струмах RB Ом  IRB* Струм бази, при якому опір зменшується на 50% повного перепаду між RB і RBM ∞ А  TF Час переносу заряду...